“LTE决不遥远” 飞思卡尔演示96Mbps数据传送

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         美国飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)试制出了采用新一代移动通信规格“LTE”的传送系统,并在Mobile World Congress 2008的会场进行了演示。会场上采用20MHz带宽,进行了下行最大96Mbit/秒、上行最大86.4Mbit/秒的数据传送演示。该公司计划以该试制系统为基础推进开发手机单芯片收发IC。

  飞思卡尔目前正在开发用于LTE的便携终端和基站设备的半导体元件。特别是用于终端的半导体元件,是瞄准日本终端厂商开发的。因为NTT DoCoMo计划在09年内完成开发,并正与日本厂商联合进行LTE终端的开发。

  飞思卡尔在会场展示的系统中,RF收发电路由分离元件构成。该公司计划在08年内,实现单芯片的RF收发IC。将采用90nm的RF CMOS技术进行设计。“LTE绝不是遥远的事情。年内就会实现单芯片集成。我认为不会花很长时间。肯定能够赶得上日本2010年前后开通的服务”(该公司产品管理部门经理David Patterson)。

  在会场上展示的系统没有使用MIMO,实现了96Mbit/秒的数据传送速度。如果使用2×2的MIMO,下行方向最大可实现173Mbit/秒的高速传送。
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