飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

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     随着基于LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能RF功率晶体管的推出,飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在GSM EDGE无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能,使它们轻松集成到放大器内,同时可提供卓越的性能水平。

    MRFE6S9046N(920至960MHz)对于GSM EDGE的应用,MRFE6S9046N的运行频率为920至960MHz,提供17.8W的平均RF功率输出,19dB的增益,效率高达42.5%,且误差矢量幅度的均方根(RMS)值不超过2.1%。它内置在飞思卡尔超模压塑胶封装中,该封装是精确机械公差和成本效率的结合。此外,该封装是表面安装的,这使它能够支持自动化的制造流程。而且,增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。内部输出匹配不仅在基本频率上实现了用户友好的终端阻抗,而且还包括赖以实现更高效率的第二和第三个谐波终端,以符合F级放大器的理论。 

    MRF8S9100H/HS(920至960MHz)与MRF8S18120H/HS(1805至1880MHz)这些28V的器件专为GSM与EDGE系统中的AB级与C级的操作而设计。在GSM EDGE业务中,MRF8S9100H/HS在940MHz运行时提供45W的平均功率,19.1dB的增益,44%的效率以及均方根(RMS)值为2.0%的误差矢量幅度(EVM)。

    在GSMEDGE业务中,MRF8S18120H/HS在1840MHz运行时提供46W的平均功率,18.2dB的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值为1.7%的误差矢量幅度。MRF8S9100H/HS与MRF8S18120H/HS内置在结实的气腔陶瓷封装中。MRF8S9100H/HS还能够在GSM800频段中操作,而MRF8S18120H/HS支持在GSM1900频段中的操作。所有这三个器件都是内部匹配的,以简化电路设计,符合RoHS规范,并且还包含内部ESD保护电路。

定价和供货情况

    MRFE6S9046N现已成批生产,而且也可提供样品。MRF8S9100H/HS与MRF8S18120H/HS现在也处于样品性能试验阶段,预计2009年7月全面投入生产。
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