IBM半导体: NEC/东芝/IBM联手 打造28nm工艺芯片计划

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    BM半导体研发联盟看来又要扩军了,东芝近日联合NEC宣布他们将携手IBM共同研发基于High-K金属栅极技术的28nm低耗能芯片。28nm工艺有助于高性能、低功耗芯片的制造,而这些芯片会用于未来移动工具和电子消费品。28nm芯片的计划发布时间尚未透露,但东芝表示他们会从2010年4月份开始生产这种芯片。

   NEC表示,与先前的40nm工艺相比,先进的28nm低耗能处理技术能显著的提高芯片密度和性能,能耗也大大降低,产品更具竞争力,将首先向市场推出SoC片上系统平台产品,不辜负消费者的期望。

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