内存芯片似已触底 预示半导体产业复苏

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     内存芯片的景气循环似乎已触底。对空前衰退的半导体产业而言,堪称景气回春的关键讯号。

    内存芯片仅占全球半导体业2600亿美元产值的14%,却是产业表现的领先指标,主因其应用范围广泛,且难以区隔差异。2007年初揭幕的内存产业寒冬,即预示了去年半导体业的大麻烦;金融海啸引发全球经济衰退,则进一步恶化半导体危机。

    好消息是,全球二家最大记忆芯片制造厂--SamsungElectronicsCo.(三星电子)与HynixCorp.上周五同时公布首季财报,芯片相关损失均比前一季低。

    市研机构iSuppli分析师NamHyungKim说,从第1季状况来看,有足够的理由相信记忆芯片市场已至谷底。他强调,从现在开始将进入复苏阶段,当前的问题是,制造业者还要一段长时间才能复原。

    2002-2007年为记忆芯片业最长的一段荣景。超高的获利激励业者扩张产能,却开始于2007年初大幅压缩价格与获利,PC等数字产品的需求成长也逐步放缓。

    自2008年初起,小型记忆芯片业者转盈为亏。但了年底,强如Samsung等产业标竿也无利可图。

    厂商遂逐步减产以平衡供需,目前产能远低于颠峰水平。即便如此,NamHyungKim日前预估,假设所有台厂停产─占全球DRAM产量25%─还是供过于求。

    另一个景气回春的讯号是,过去6周DRAM的现货价格大幅飙升。根据集邦科技报价,上周五(24日)主流1GbDRAM芯片价格来到1.21美元,较3月11日低点的0.75美分上涨61%。

    但部份业界人士示警,在需求水平尚未确立的前提下,价格上扬可能促使业者重启闲置产能,进而再度引发公司失衡,导致价格回落。

    为了持续平衡市场供需面,DRAM业者大多准备删减资本支出。分析师预估,今年DRAM相关资本支出将下滑至40亿美元左右,远低于去年与前年的110亿美元、220亿美元;NAND支出则估计为30亿美元,相较于去年与前年的80亿美元、110亿美元。

    Hynix上周五即表示,将至少搁置订购设备计划至6月;Hynix则说,还没决定今年的资本支出金额。

    Hynix第1季净损1.18兆韩元,金额虽较去年第4季缩小,但远高于去年同期的6750亿韩元。Samsung首季芯片部门的营业亏损缩小至6700亿韩元,但营业亏损率因营收下滑而扩大。

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