磁阻式随机存储器将挑战闪存

分享到:


        磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明这一点。 

        根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一宣布,它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。 

        MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力,以及Flash不挥发性的特性,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也近似,可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。 

        据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技,而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同时作为一个主要的MRAM供应商存在,飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin 提供的MRAM产品。
继续阅读
恩智浦与华邦达成合作意向,新型Flash存储产品发挥重要作用

华邦和恩智浦成功达成合作,在3月11日和14日分别于深圳和上海举办的2019华邦-恩智浦Workshop上,恩智浦展示了一款集成了华邦2MB/4MB Flash的LPC54S018JxM系列MCU产品,该系列是LPC540xx系列MCU的扩展,主要针对物联网终端市场,便于用户快速将产品推向市场。该产品不仅提供片上SPI NOR Flash,而且其独特OTP功能可以灵活定制保护区块,其他闪存空间仍能保持正常擦写功能。

清华大学团队研发出新一代MRAM技术,告别加热降温获得零热伤害制造过程

台湾科技部在14日发表由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机存取内存(MRAM)技术,称对半导体产业发展将有决定性的影响力。

各大半导体巨头瞄准MRAM,市场前景将会有怎样的表现

MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式随机存取记忆体),是一种非易失性记忆体技术,从1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机记忆体的高速读取写入能力,具有快闪记忆体的非挥发性,容量密度及使用寿命不输DRAM,但平均能耗远低于DRAM,而且基本上可以无限次地重复写入。

还要手动碎片整理?那已经过时了!

必须手动进行碎片整理(defrag)的年代已经过去了,因为现在都是自动执行的,而且,闪存(flash)并不会出现“档案碎片”(file fragmentation)问题。真是这样吗?

LPC546xx系列MCU简介

LPC546xx系列MCU基于Cortex-M4内核而构建,具有极高的灵活性和性能可扩展性,可提供高达180MH主频的性能,同时保持低达100uA/MHz的功率效率;其21个通信接口使其成为下一代IoT应用的HMI和连接需求的理想选择。

精彩活动