联电发表声明回击指控,本次控诉结果将发生什么变化?

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联电在11月9日半夜出具声明(详见附件)其中两大段文字强调,美光诉讼中所涉及的DRAM技术与联电DRAM技术不同。

一:相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的(出自联电声明稿)。

二:另一个错误的印象是美光公司在美国开发25奈米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术(出自联电声明稿)。
外界将此视为联电反击美光诉讼案的「强而有利」证据,但实情并非如此。联电发表声明看似「重炮」反击美光,实则效果有限,为什么?

完全没提到「营业秘密」四个字,揭露的东西都是众所皆知

由于联电的声明内容相当短,内容破碎,声明也缺乏重要的时间序列关系,段落的前后因果关系并不明确。最重要的事,完完全全没有提到「营业秘密」这个最重要的关键字。

因此虽提出很多诉讼案相关讯息,但其实都不是诉讼关键重点。

声明有强调的两大重点:

1.联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。

2.美光25奈米技术购自瑞晶与尔必达。

这两点和营业秘密之间的关联完全空白。看似说得很多,但完全没有办法从此推敲出什么进一步的讯息。

而且联电说的这些东西都是业界众多皆知的Common Sense,并非因为这次诉讼案特别揭露的「新内幕」。

侦查内容保密令:联电不会知晓美光诉讼中所言的侵犯营业秘密细节为何

一名熟悉智权的智权管理师对指出,「由于营业秘密有『侦查内容保密令』制度,(意指所有文件均以弥封方式处理,仅承办法官、书记官等始得接触相关诉讼之诉讼资料,其余之法院人员不得拆开或阅览该等资料)。」

「因此,联电不会知晓美光诉讼中所言的侵犯营业秘密细节为何。」

既然无法清楚知晓所侵犯的营业秘密细节为何,也就无法对此发表应对的声明了。仅能猜测,既然是猜测,那离有利证据还有很大一段模糊空间。

仅不到10%的人曾在美光公司工作非重点

联电声明还强调,「自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过(出自联电声明稿)。」

这个声明的效用也非常薄弱,因为来自于美光的员工数量并非事情的重点,就算联电该专案研发团队中,「仅有一名」员工来自于美光,若该员工「真有」窃取美光营业秘密之事,那联电还是触犯该法。

也就是说,联电该研发团队来自美光的员工数量,与员工有无窃取营业秘密是没有关系的两件事。

提升公司声誉效果有限

联电仅可能只是就目前外界(媒体)讨论的重要营业秘密议题如25奈米等DRAM技术发表声明。但这份声明稿无法被视为诉讼案的强而有力证据。
因此除挽救公司声誉、品牌形象,或是影响媒体救股价护盘,真正的效果可能相当有限。

附件一:联电声明

联华电子是国际公认、台湾起家的半导体公司。38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14奈米。对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32奈米,在联华电子的计画启动当时,已经是落后几个世代的技术。

社会上有一个错误的印象,认为联华电子没有任何DRAM的知识或经验,这不是事实,而且是极端的不实。从1996年到2010年,联华电子积累了近15年制造DRAM产品的经验。甚至在某个时间点上,联华电子内部DRAM团队人数,超过150人。联华电子是一个有组织的企业机构,藉由坚实而稳定的团队,掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。举个例子来说,现任联华电子共同总经理之一的简山杰,是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理。

另一个实例则是:Alliance公司是1996年第一个获得联华电子公司授权合作DRAM伙伴之一,该公司是一家总部位于美国的DRAM晶片设计公司,藉由联华电子的技术进行DRAM制造。除了传统的DRAM技术外,2009年联华电子更成功开发了属于自己的嵌入式DRAM制程技术,这比制造标准型DRAM的过程要复杂得多。

联华电子同意与晋华公司联合开发DRAM制程,这是一个与联华电子晶圆专工服务完全分开的单独项目,在做成决策当时,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易,已经向台湾政府正式提出申请,主管机关亦已于2016年4月核准整个项目。值得一提的是,那时还未听说有中美贸易战。

自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。
相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25奈米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了台湾的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25奈米DRAM技术。

联华电子不要「在报刊上」进行这场诉讼,但联华电子要向我们的客户和投资人保证,联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。

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