恩智浦再推三款65V LDMOS产品,强势进军智能工业市场

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恩智浦半导体宣布推出面向智能工业应用的新型射频功率晶体管,这些产品采用了突破性的65V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)硅技术。与以前的射频功率解决方案相比,65V LDMOS技术拥有更高的功率密度、更低的电流和更宽的安全裕量,可以实现集成度更高的高可靠型工业4.0系统;如今,此类系统已能利用固态技术卓越的控制能力,同时还具备超强的能耗管理能力。


MRFX系列65V LDMOS器件面向工业、科技和医学(ISM)应用,如激光激发、等离子处理、磁共振成像、皮肤治疗、透热等;当然,还有不断壮大的射频能量领域,在该领域,晶体管将取代工业供暖设备中的真空管(晶体管将取代工业加热设备中的磁控管)。这些器件同时面向无线电和电视广播发射器。

 

恩智浦高级总监兼射频功率事业部总经理Pierre Piel表示:“在不到一年的时间里,已有超过百位客户采用了恩智浦的65V LDMOS。在突出的性能优势以外,前所未有的各种赋能工具成为致胜的法宝。恩智浦的功能模块不但在设计上易于复制,而且拥有众多的系统和软件支持。这意味着,射频设计进一步简化,上市时间加快,如此一来,客户就能集中精力,打造产品的核心价值。”

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2017年,65V LDMOS系列携1K80H首次亮相,这款器件支持1800W CW(连续波),采用气腔(空腔)陶瓷封装。其后,人们针对MRFX1K80H提出了多种新型参考设计,使射频设计师可以在27、64、81.36、87.5-108、128、175、174-230和230MHz频率下快速启动开发流程。

 

本着突出易用性、缩短开发时间、重用以往50V解决方案的设计思路,恩智浦近日又为其65V系列再添新成员:

 

MRFX1K80N:MRFX1K80H器件的1800W超模压塑料封装版本(注塑塑料封装版本),可使热阻降低30% (0.06 °C / W)。

 

MRFX600H:紧凑型600W解决方案,拥有无与伦比的12.5Ω输出阻抗,适用于4:1输出变压器 (器件匹配到12.5Ω输出阻抗,只要通过4:1阻抗变换器就可以到50Ω)。

 

MRFX035H:以前最终级(末级)器件的35W驱动器。拥有无与伦比的50Ω输出阻抗,适用于最紧凑的电路板布局。

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电源制造商已经开始开发65V解决方案。ABB Embedded Power正在开发一款3.5 kW、65 V电源装置,用于驱动恩智浦MRFX系列晶体管。高级产品经理Jim Montgomery称:“通过与恩智浦的合作,我们将开发出强大的新一代射频系统,实现更高功率的应用,集卓越的可靠性、灵活性和控制能力于一身,达到缩短开发时间的目标。”

 

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