好消息!96层3D NAND Flash将于9月实现量产

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为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代,展望2019年,三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性,控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
 
群联电子发言人于绍庭表示,3D NAND Flash技术不断推进,目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度,NAND Flash供货商正在努力往96层QLC发展,届时单一颗粒的储存容量将可达1TB。 其实,目前已经有业者发表采用QLC架构的64层3D NAND Flash,但技术验证的意味浓厚,预计要等到2019年推出的96层3D NAND Flash,才会开始大量采用QLC。
 
为了因应此一技术发展趋势,群联在Computex期间正式发表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架构虽可实现更高的储存密度,但数据储存的可靠度跟读写速度却会受到影响,因此该控制器搭载了群联自行研发的第四代SmartECC技术,在PCIe Gen3x4的带宽下,读写效能均可达3,200MB/s, IOPS则均为600K。
 
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群联进一步解释,当数据被写入到NAND Flash内部时,其支持SmartECC的控制器同时会产生一组校正码,与数据一起存入。 数据从NAND读回时若发生错误,控制芯片会透过校正码更正数据,若该错误无法透过ECC校正码成功更正,这笔数据就会进入SmartECC的补救流程,藉由特别设计的算法修正数据,提高数据可靠性。
 
不过,有业界人士认为,由于QLC的可靠度比TLC更差,因此即便96层QLC颗粒在2019年进入量产,要应用在固态硬盘(SSD)上,可能还需要一段时间。 采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘,而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。 而这也意味着USB随身碟容量大举进入1TB的时间点,可能会出现在2019年。
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