好消息!96层3D NAND Flash将于9月实现量产

分享到:

为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代,展望2019年,三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性,控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
 
群联电子发言人于绍庭表示,3D NAND Flash技术不断推进,目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度,NAND Flash供货商正在努力往96层QLC发展,届时单一颗粒的储存容量将可达1TB。 其实,目前已经有业者发表采用QLC架构的64层3D NAND Flash,但技术验证的意味浓厚,预计要等到2019年推出的96层3D NAND Flash,才会开始大量采用QLC。
 
为了因应此一技术发展趋势,群联在Computex期间正式发表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架构虽可实现更高的储存密度,但数据储存的可靠度跟读写速度却会受到影响,因此该控制器搭载了群联自行研发的第四代SmartECC技术,在PCIe Gen3x4的带宽下,读写效能均可达3,200MB/s, IOPS则均为600K。
 
13
 
群联进一步解释,当数据被写入到NAND Flash内部时,其支持SmartECC的控制器同时会产生一组校正码,与数据一起存入。 数据从NAND读回时若发生错误,控制芯片会透过校正码更正数据,若该错误无法透过ECC校正码成功更正,这笔数据就会进入SmartECC的补救流程,藉由特别设计的算法修正数据,提高数据可靠性。
 
不过,有业界人士认为,由于QLC的可靠度比TLC更差,因此即便96层QLC颗粒在2019年进入量产,要应用在固态硬盘(SSD)上,可能还需要一段时间。 采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘,而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。 而这也意味着USB随身碟容量大举进入1TB的时间点,可能会出现在2019年。
继续阅读
加快3D闪存生产,紫光DDR4年底见

国产内存还处在发展过程中,不过已经取得了不错的成绩,紫光作为其中的代表企业,已经取得了不错的成绩。据报道,紫光成都存储器制造基地项目已经开工,而且这个基地将会投资240亿建设闪存工厂。官方表示,DDR4芯片正在研发中,预计年底将会推向市场。

美媒曝中国芯片入侵美国,这次打的什么牌

美国《彭博商业周刊》发出一篇震惊中美科技圈的封面报道,称中国间谍“微芯片”一口气黑了苹果、亚马逊等近30家美国公司使用的服务器。报道还称,这些芯片在2015年被发现,经过三年秘密调查,可能用于收集美国公司的知识产权和商业机密。

阿里成立芯片公司,并发布物联网芯片

昨日,阿里云宣布将成立芯片公司“平头哥”。这只勇猛顽强的“蜜獾”,承载着阿里在芯片领域以小博大的野心。阿里称,其首款神经处理芯片AliNPU将于明年6月面世,首批芯片将应用在阿里数据中心、城市大脑和自动驾驶等云端数据场景中。

马爸爸开始涉足半导体,所以你怕了吗

在2018年云栖大会上,阿里巴巴集团首席技术官张建锋表示,达摩院正在建设自己的量子实验室、量子芯片,半导体。同时,成立“平头哥半导体有限公司。”9月19日,2018年云栖大会在杭州开幕。上千位学者、行业专家,来自64个国家的CEO和CTO齐聚云栖小镇。这也是云栖大会的第十年个年头。

基于ARM构架的服务器数据中心芯片

据国外媒体报道,英特尔前总裁蕾妮·詹姆斯(Renee James)领导的初创公司Ampere Computing周二表示,该公司推出了其首批数据中心芯片,采用了ARM构架。该公司表示,这些售价在550美元至850美元之间的新芯片,已经被联想集团和其他几家制造服务器的公司所选用。