PCIM展功率半导体节能应用显身手

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    为期3天的“PCIM China 2009”展会在上海光大会展中心落下帷幕。在展会期间,国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了众多新产品和高能效解决方案;同时,参展企业也纷纷表示对中国功率半导体的市场前景充满信心。

新产品亮相PCIM展

    一年一度的PCIM展是功率半导体领域的盛会,同时也是业内企业展示新技术、新产品的舞台。在今年的展会上,英飞凌推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ base模块,该模块是变频器的核心部件。在传统的变频器中,通常要在IGBT模块外部加装电流传感器,而据来自英飞凌科技工业及多元化电子市场事业部的梁知宏主任工程师介绍,MIPAQ base模块集成了3个专门用于测量输出电流的取样电阻,这些集成取样电阻可以承担以前由外部电流传感器执行的各项任务,因此,系统可以节省昂贵的外部电流传感器,同时压缩了空间,对变频器PCB的影响也将明显减少。此外,MIPAQ base模块能够将取样电阻产生的热量更好地分配到散热器上。

    梁知宏同时表示,MIPAQ系列包括三大产品,除了已经量产的MIPAQ base模块之外,还包括MIPAQ sense模块(集成全数字化电流测量功能,提供电流隔离输出信号)和MIPAQ serve模块(集成了驱动/温度检测元件)。MIPAQ系列IGBT模块有助于以较低的成本设计出功能强大、结构紧凑并且节能环保的中低功率变频器。

     三菱电机则带来了他们的第六代IGBT模块。从技术发展的历程来看,三菱电机第三代IGBT采用3微米平面技术,第四代IGBT采用1微米沟槽型技术,第五代IGBT采用1微米的CSTBT(载流子存储式沟槽型双极晶体管)技术,那么,第六代产品有哪些新的变化呢?三菱电机机电(上海)有限公司董事总经理森敏在接受《中国电子报》记者采访时表示,第六代IGBT芯片比前一代产品的芯片更薄,并采用优化载流子存储层的掺杂分布和精细图形工艺的沟槽型IGBT硅片,进一步降低了模块的开关和通态损耗。
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第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开

2018年11月7-8日,第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会在上海召开,本届会议旨在加强全国各相关领域研究队伍的交流、提供学术界与产业界相互分享最新研究成果的机会,推动我国先进电子材料与器件的发展,促进杰出青年科学家的迅速成长和协同创新。

第三代半导体材料技术不断突破,宽禁带半导体成为香山科学会议焦点之一

“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破,甚至可能在21世纪上半叶,导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上,与会专家指出,宽禁带半导体核心技术一旦解决,必将引起应用格局的巨大改变。

DRAM价格已经持续下滑接近两成,曾经的美好光景一去不返

半导体产业都是以美元计价,所以国内半导体厂都会设立境外公司来降低汇率变动带来的压力。以晶圆代工龙头台积电来说,已在上次董事会核准在额度不超过20亿美元范围内,对台积电在英属维京群岛设立的百分之百持股子公司TSMC Global Ltd.增资,以降低外汇避险成本。

第三代半导体技术的最大绊脚石,还是基础研究?

“宽禁带半导体就像一个小孩,还没长好就被拉到市场上去应用。”在11月8日至9日召开的香山科学会议上,中科院院士、中科院半导体所研究员夏建白打的比方引起不少与会专家的共鸣。

5G技术持续领跑,直接影响对应产业链发展方向

在智能手机普及的带动下,2012-2017五年无线通信芯片实现9.7%的复合增长率,根据iHS的数据,2017年市场规模达到1,322亿美金,占全球半导体市场的31%。 展望未来,随着手机出货量及硬件规格升级的放缓,预计行业总体增速下降至2.9%左右。但由于5G需要支持新的频段和通信制式,包括滤波器,功率放大器,开关等射频前端存在结构性增长机会。

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