磁阻式随机存储器将挑战闪存

分享到:


        磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明这一点。 

        根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一宣布,它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。 

        MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力,以及Flash不挥发性的特性,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也近似,可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。 

        据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技,而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同时作为一个主要的MRAM供应商存在,飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin 提供的MRAM产品。
继续阅读
还要手动碎片整理?那已经过时了!

必须手动进行碎片整理(defrag)的年代已经过去了,因为现在都是自动执行的,而且,闪存(flash)并不会出现“档案碎片”(file fragmentation)问题。真是这样吗?

LPC546xx系列MCU简介

LPC546xx系列MCU基于Cortex-M4内核而构建,具有极高的灵活性和性能可扩展性,可提供高达180MH主频的性能,同时保持低达100uA/MHz的功率效率;其21个通信接口使其成为下一代IoT应用的HMI和连接需求的理想选择。

Flash技术将退役?新技术代替在即

Adobe与其合作伙伴苹果公司、微软、Alphabet旗下谷歌部门、Facebook和Mozilla称,在未来三年时间里,这些公司将分阶段停止为Flash提供技术支持。在2020年过后,Adobe将停止为Flash发布更新,网络浏览器将不再支持该技术。这些公司正在鼓励开发者为其软件改用现代编程标准。

飞思卡尔单片机烧写程序方法

确定待烧写的文件目录:需要烧写的文件为abs 后缀的文件(烧写.s19 后缀的文件方法相同,选文件时,注意类型)

NXP FTF 2016:打造一个安全帝国,推动全自主驾驶

今年的NXP FTF年度技术论坛算是NXP和飞思卡尔完成合并后的第一次大会,正如恩智浦全球首席执行官Richard Clemmer强调的那样,这不是两个弱者在抱团取暖,也不是一个强者收购一个弱者,而是两家财务稳健的公司强强联手。

精彩活动