磁阻式随机存储器将挑战闪存

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        磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明这一点。 

        根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一宣布,它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。 

        MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力,以及Flash不挥发性的特性,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也近似,可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。 

        据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技,而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同时作为一个主要的MRAM供应商存在,飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin 提供的MRAM产品。
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各大半导体巨头瞄准MRAM,市场前景将会有怎样的表现

MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式随机存取记忆体),是一种非易失性记忆体技术,从1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机记忆体的高速读取写入能力,具有快闪记忆体的非挥发性,容量密度及使用寿命不输DRAM,但平均能耗远低于DRAM,而且基本上可以无限次地重复写入。

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